臺(tái)積電前副總裁表示，美國(guó)阻止不了中國(guó)半導(dǎo)體向 5 納米邁進(jìn)
無(wú)視美國(guó)限制其技術(shù)進(jìn)步的制裁，中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）和華為在芯片技術(shù)方面已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。前臺(tái)積電副總裁在接受彭博社的一次采訪中表示，SMIC 已經(jīng)擁有的 ASML 光刻設(shè)備，公司能夠?qū)崿F(xiàn) 5 納米級(jí)制造工藝。
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"美國(guó)無(wú)法完全阻止中國(guó)提升其芯片技術(shù)"前副總裁林本堅(jiān)告訴彭博社。盡管美國(guó)通過(guò)制裁實(shí)施技術(shù)限制，但中芯國(guó)際表現(xiàn)出了顯著的韌性和創(chuàng)造力，開(kāi)發(fā)了其第二代 7 納米級(jí)制造工藝，并且還取得了足夠高的產(chǎn)量，足以讓華為計(jì)劃提供 7000 萬(wàn)部智能手機(jī)的計(jì)劃。中芯國(guó)際使用了 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 光刻工具，這是一種深紫外（DUV）光刻掃描儀，可以生產(chǎn) 7 納米和 5 納米級(jí)制程技術(shù)的芯片。今年早些時(shí)候，荷蘭政府還限制了這種設(shè)備對(duì)中國(guó)的出口。
Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38納米）足以用于 7 納米級(jí)單光刻工藝的量產(chǎn)。但是在 5 納米級(jí)制程技術(shù)方面，需要更細(xì)的分辨率。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，芯片制造商可以使用雙光刻、三光刻，甚至四光刻。這是一種光刻技術(shù)，涉及將復(fù)雜的圖案分成若干較簡(jiǎn)單的圖案，然后依次打印，以在半導(dǎo)體制造中實(shí)現(xiàn)更高的精度和細(xì)節(jié)。多光刻的使用是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程，會(huì)影響產(chǎn)量和每個(gè)晶圓上可以使用的芯片數(shù)量，因此通常由于經(jīng)濟(jì)原因?qū)е率褂檬艿较拗啤?/p>
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但受限于已經(jīng)擁有的工具，中芯國(guó)際別無(wú)選擇，只能使用多光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的分辨率。就是在這樣不利的情況下，它成功地達(dá)到了華為可以接受的產(chǎn)量。由此可見(jiàn)，美國(guó)對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)限制是沒(méi)有效果的。
前臺(tái)積電研發(fā)副總裁林本堅(jiān)曾表示："美國(guó)真正應(yīng)該做的是集中精力保持其芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)地位，而不是試圖限制中國(guó)的進(jìn)展，因?yàn)橹袊?guó)正在采用全國(guó)戰(zhàn)略來(lái)推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，因此封鎖技術(shù)是徒勞的，而且會(huì)傷害全球經(jīng)濟(jì)"。
有趣的是，美國(guó)的制裁似乎無(wú)意中為中芯國(guó)際打開(kāi)了機(jī)會(huì)之門(mén)。對(duì)臺(tái)積電施加的限制，禁止其與某些中國(guó)實(shí)體交易，使中芯國(guó)際得以介入并獲得大量訂單，這對(duì)中芯國(guó)際的芯片制造技術(shù)無(wú)疑是一個(gè)巨大的提升。
本文編輯：@ 小小輝
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