內存條也能“X3D”，這新技術讓容量十倍暴增
起猛了?XDM，最近小憶刷到一條科技新聞：
一家專注于存儲芯片技術的美國公司公布了自家全新?3D X-DRAM?技術，號稱有望將內存容量提高到現階段的?10?倍。
我直接好家伙！
以?v-color（全何）剛剛推出的業界首款?DDR5 OC RDIMM RGB?內存，單條?64GB?套條?512GB（64GBx8）為例。
翻個?10?倍也就是單條?640GB，套條?5120GB。
這還要啥硬盤啊，以后直接內存條常駐操作系統+3A?大作得了。
本著吃瓜不嫌事兒大的道理，小憶專門去扒了扒，發現這事兒好像確實有點東西。
具體怎么個事兒咱們不妨往下瞧瞧！
關注?PC?數碼領域的小伙伴兒想必都有所發現，目前存儲芯片領域已正式擁抱 “3D?堆疊”技術時代。
自三星?2013?推出首款?3D NAND?產品后，SSD?固態硬盤便開始進入到由?2D NAND?到?3D NAND?的全面爆發時期。
相比過去的平面?2D?排布結構，3D NAND?可通過垂直結構多層堆疊存儲單元。
例如三星公布的最新第十代?3D NAND?技術堆疊層數已突破?400?層。
這也就意味著，在相同的閃存芯片面積內，使用?3D NAND?技術的它可提供遠勝于?2D NAND?的存儲容量和數據密度，同時還能降低成本。
在這些堪稱「妖孽」級優勢加持下，以致于目前甭管國內還是國外，主流?SSD?閃存皆已采用?3D NAND?技術。
除了?NAND，就連「外星產物」CPU?高速緩存也已經開始用上?3D?堆疊技術。
隔壁?AMD X3D CPU?連忙舉手表示：這題我會啊，要不全靠這哥們，能有我起飛的今天？
不過別看?3D?堆疊技術正各種大展拳腳，咱們存儲領域重要?C?位「內存條」卻遲遲不見跟進。
DRAM?技術摸爬滾打了這么些年，2025?年最新?DDR5?內存仍掙扎在?2D?封裝層面。
講道理，這多少有些讓人難繃了。
那么問題到底出在哪兒呢？
這其實主要在于技術難度和市場需求上。
首先，DRAM?的進步一直依賴于縮放工藝，隨著制程工藝提升，可不斷縮小存儲單元尺寸，從而在芯片單位面積上帶來更高存儲密度和容量。
即便是在?DDR3?時代就已經出現了單條?16G?甚至?32G?內存條。
這樣的容量放在當下依然足夠滿足大多數用戶需求。
因此，需求的放緩讓?DRAM?并不迫切尋求技術上的突破。
其次是技術上，DRAM?芯片由于不斷尋求制程工藝極限，存儲單元及電路設計精密且復雜。
在?2D?單層排列上雖說已非常成熟，但邁向?3D?多層分布過程中仍有諸多困難正待突破。
也就是說實現起來并沒有想象中那么容易。
不過好消息是，對于?3D DRAM?技術咱們也并非毫無進展。
例如目前用在AI計算、高性能圖像處理領域的?HBM?內存已經通過?3D?技術實現了多個?DRAM?芯片的垂直堆疊。
當然，這種多個芯片堆疊的方式不同于?3D NAND?那樣存儲單元層面的真?3D?堆疊。
稱之為?2.5D?倒更為合適。
直到最近?NEO Semiconductor??公布的?3D X-DRAM，這才讓我們發現了一絲滿血?3D DRAM?影子。
簡單來說，這一技術包含兩類設計——1T1C?和?3T0C。
其中，1T1C?由?1?個電容器和?1?個晶體管構成存儲基本單元，然后通過類似于隔壁閃存的?3D NAND?方式進行堆疊。
3D X-DRAM 1T1C?示意圖
以此來提高?DRAM?芯片存儲密度、容量，并降低成本。
同時，在存儲單元間還引入了?IGZO（銦鎵鋅氧化物）溝道來增強數據保留能力（防止電子泄露）。
根據?NEO?稱，這些操作可讓?DRAM?單元讀寫延遲降至?10?納秒，且保留時間超過?9?分鐘。
這兩項指標都要明顯領先于目前?DRAM?芯片水平。
而?3T0C?則采用三個具有?IGZO?通道的晶體管（寫入晶體管、讀取晶體管和存儲晶體管）設計。
3D X-DRAM 3T0C?示意圖
其最終同樣采用類?3D NAND?方式進行堆疊。
總結來說，這兩種設計除延遲、保留時間上的優勢外，更重要的是為?DRAM?芯片帶來了質變式的容量提升。
NEO?號稱可為單個模塊提供?64GB?容量，是市面水平的?10?倍以上。
官方表示，基于?3D X-DRAM?的技術架構預計將于?2026?年生產概念驗證測試芯片。
說實話，小憶還是蠻期待的，畢竟 PC 內存技術確實太久沒來過顛覆性的改變了！
*資料、圖片來源：NEO Semiconductor?、網絡。
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